Page 35 - phy3sc8
P. 35

‫الوحدة ( ‪ : ) 2‬مقدمة في الفيزياء الحديثة ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ الفصل ( ‪ : ) 8‬الإلكترونيات الرقمية‬

                                                                                                   ‫[ ‪ ] 2‬مقال قصير‬

                                                                                       ‫(‪]17[[ )60‬‬
    ‫توصيل قاعدة ترانزستور من النوع ‪ n.p.n‬بجهد سالب عند توصيله بحيث يكون الباعث مش رتك ‪.‬‬

                       ‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬

                                                                        ‫(‪]17[[ )61‬‬

    ‫( ‪ ) ‬التيار المار ف دائرة المجمع ل رتانزستور ‪ n.p.n‬ويعمل كمفتاح ‪.‬‬

    ‫(‪ )‬جهد الخرج(‪ (VCE‬ل رتانزستور ‪ n.p.n‬ف دائرته كمفتاح ‪.‬‬

                                    ‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬          ‫(‪)62‬‬
‫[[‪ ]17‬اذا كانت شدة تيار المجمع ف ال رتانزستور ) ‪ IC = ( 700 mA‬و شدة تيار القاعدة ) ‪. IB = ( 7 mA‬‬

                                                                                                        ‫أوجد ‪:‬‬

                                                                        ‫( ‪ ) ‬نسبة التكب رت ‪βe‬‬

                                                                        ‫(‪ )‬نسبة التوزي ع ‪∝e‬‬

                                                                        ‫(‪ ) ‬تيار المجمع ‪. IE‬‬

    ‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬
‫(‪9،[[0.015 A )63‬ا‪]1‬ح إسذا كبانكلتمشند‪e‬ة‪β‬التوي‪e‬ار∝اللكههذار رالنر اتلازمنازرستفوقار ‪.‬عدة ال رتانزستور ‪ 3 × 10 – 4 A‬وشدة التيار ف دائرة المجمع‬

    ‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬
    ‫[[‪ ]20‬إذا كانت شدة الإشارة الكهربية ف قاعدة ال رتانزستور ‪ 160 μA‬وكان تيار المجمع ‪. 8 mA‬‬
    ‫أوجد كل من (‪ )αe‬و (‪ )βe‬لهذا ال رتانزستور ‪.‬‬                                                                  ‫(‪)64‬‬

                                      ‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬
‫(‪[.[0.02 A )65‬ا‪19‬ح] إسذابكاكنل ًاتمنش ‪e‬دة ا∝لتويا‪e‬ر ا‪β‬ل لكههذر را انل رالتانمازرستفوقرا‪.‬عدة ال رتانزستور ‪ 2.5×10 –4 A‬وشدة التيار المار ف دائرة المجمع‬

                                      ‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬

‫[[‪ ]19‬ترانزستور له (‪ )αe = 0.98‬احسب ‪ ، βe‬ثم احسب تيار الباعث إذا كان تيار القاعدة يساوي‬                         ‫(‪)66‬‬

                                                                        ‫(‪. )3×10 –5 A‬‬

                                  ‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬            ‫(‪)67‬‬
‫[[‪ ]17‬شدة تيار المجمع ل رتنزستور من النوع ‪ ) 20μA ( n.p.n‬و نسبة تكب رته للتيار ‪ 50 = βe‬احسب ‪:‬‬

                                                                        ‫( ‪ ) ‬ثابت التوزي ع ‪∝e‬‬

                                                                        ‫(‪ )‬شدة تيار القاعدة ‪. IB‬‬

                                                                        ‫(‪ ) ‬شدة تيار الباعث ‪.IE‬‬

    ‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬
    ‫[[‪ ]19‬هل ال رتانزستور الموضح بالشكل‬
    ‫يعمل كمفتاح ف حالة (‪ )off‬أم غلق (‪RC . )on‬‬                                                                   ‫(‪)68‬‬

‫‪RB‬‬

    ‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬

‫الفيزياء ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‪6‬ــ‪8‬ــ‪3‬ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ الصف الثالث الثانوي‬
   30   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40