Page 33 - phy3sc8

‫الوحدة ( ‪ : ) 2‬مقدمة في الفيزياء الحديثة ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ الفصل ( ‪ : ) 8‬الإلكترونيات الرقمية‬

‫[[‪ n.p.n ]21‬ترانزستور فيه مقاومة المجمع ‪ RC = 50 kΩ‬ومعامل التكب رت له ‪ ، βe = 30‬من البيانات‬ ‫(‪)51‬‬

‫الموضحة بالشكل تكون شدة تيار القاعدة ‪. .......... = IB‬‬

‫‪RC = 50 kΩ‬‬ ‫‪3 × 10-6 A ○ ‬‬
‫‪9.3 × 10-6 A ○ ‬‬

‫‪9 × 10-6 A ○ ‬‬

‫‪RB 8.7 × 10-6 A ○ ‬‬

‫‪1.5 V‬‬ ‫‪VCE = 0.5 V‬‬
‫‪VCC = 5 V‬‬

‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬ ‫(‪)52‬‬
‫[[‪ ]22‬الشكل يوضح ترانزستور (‪ُ )n.p.n‬يستخدم كمك رت‬

‫‪RC = 400 Ω‬‬ ‫⋯‬ ‫⋯‬ ‫=‬ ‫‪∝℮‬‬ ‫ب ري‬ ‫النسبة‬ ‫فإن‬
‫‪ ℮‬‬

‫‪C‬‬ ‫‪2.75 × 10 − 3 ○ ‬‬

‫‪I = 6 × 10 – 5 A‬‬ ‫‪VCE = 0.4 V‬‬ ‫‪2.13 × 10 − 2 ○ ‬‬

‫‪1.11 × 10 − 2 ○ ‬‬

‫‪RB‬‬ ‫‪2.81 × 10 − 3 ○ ‬‬

‫‪VCC = 1.5 V‬‬

‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬
‫[[‪ ]23‬إذا كان شدة تيار القاعدة ف ترانزستور ‪ n.p.n‬الباعث مش رتك ه ‪ 6 μA‬وكانت (‪.)∝e = 0.95‬‬
‫فإن شدة تياركل من الباعث والمجمع على ال رتتيب ه‬ ‫(‪)53‬‬

‫الاختيار ‪IC IE‬‬
‫‪114 μA 120 μA ○ ‬‬

‫‪120 μA 114 μA ○ ‬‬

‫‪12 μA 11.4 μA ○ ‬‬

‫‪242 μA 240 μA ○ ‬‬

‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬
‫(‪ )54‬يوضح الشكل ترانزستور ‪ n.p.n‬باعث مش رتك ‪،‬‬

‫‪1kΩ‬‬ ‫إذاكان معامل تكب رت الإشارة يساوي ‪ 100‬فإن مقاومة القاعدة تساوي‬

‫‪10 V‬‬ ‫‪500 Ω ○ ‬‬
‫‪2 × 10 3 Ω ○ ‬‬
‫‪RB C‬‬ ‫‪2 × 10 5 Ω ○ ‬‬
‫‪B‬‬ ‫‪2 × 10 6 Ω ○ ‬‬

‫‪E‬‬
‫‪VEC = 5 V‬‬

‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬

‫الفيزياء ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‪4‬ــ‪8‬ــ‪3‬ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ الصف الثالث الثانوي‬