Page 32 - phy3sc8

‫الوحدة ( ‪ : ) 2‬مقدمة في الفيزياء الحديثة ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ الفصل ( ‪ : ) 8‬الإلكترونيات الرقمية‬

‫[[‪ ]22‬ترانزستور ‪. ∝ e = 0.99‬‬ ‫(‪)47‬‬

‫فإن النسبة شدة تيار الباعث ‪⋯ ⋯ ⋯ = IE‬‬

‫شدة تيار القاعدة ‪IB‬‬

‫‪100 ○ ‬‬

‫‪99 ○ ‬‬

‫‪200 ○ ‬‬

‫‪198 ○ ‬‬

‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬

‫[[‪ ]21‬تمثل الدائرة المقابلة دائرة ترانزستور لبوابة عاكس‪ ،‬فإذا كان جهد الخرج (‪ )VCE‬يساوي ‪ 0.8V‬عندما‬ ‫(‪)48‬‬
‫كانت مقاومة دائرة القاعدة (‪ )RB‬تساوي ‪ .4000 Ω‬فتكون قيمة مقاومة دائرة المجموع (‪ )RC‬تساوي تقريب ًا‬

‫‪RB‬‬ ‫‪RC IC‬‬ ‫‪7.36 × 102 Ω ○ ‬‬
‫‪73.6 × 102 Ω ○ ‬‬
‫‪IB‬‬ ‫‪C‬‬ ‫‪0.736 × 102 Ω ○ ‬‬
‫‪B‬‬ ‫‪7360 × 102 Ω ○ ‬‬

‫‪1.5V‬‬

‫‪0.2V E‬‬

‫‪IE=1mA‬‬

‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬

‫[[‪ ]21‬الشكل يوضح ترانزستور يعمل كمك رت‬ ‫(‪)49‬‬
‫إفإذانكاقنيمتكقل ًاراءمة انل‪e‬فو‪α‬لت‪،‬م‪e‬ي ر‪β‬ت ‪ 4.8V‬وقيمة ‪ RC‬ه ‪. 4.5 kΩ‬‬
‫‪RC V‬‬

‫‪RB‬‬ ‫‪C‬‬ ‫الاختيار ‪αe βe‬‬

‫‪B‬‬ ‫‪VCC = 5V‬‬ ‫‪0.97‬‬ ‫‪32.32‬‬ ‫‪○‬‬

‫‪0.95‬‬ ‫‪33.67‬‬ ‫‪○‬‬

‫‪E‬‬ ‫‪0.99 0.99 ○ ‬‬

‫‪33 μA‬‬ ‫‪0.75 3 ○ ‬‬

‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬
‫[[‪ ]21‬عند استخدام ال رتانزستوركمفتاح وكان جهد الخرج (‪)VCE‬‬
‫(‪)50‬‬

‫‪RC‬‬ ‫‪1.5V‬‬ ‫يساوي ‪ 0.2V‬وجهد دائرة المجمع تساوي ‪1.5V‬‬

‫فيكون جهد مقاومة دائرة المجمع (‪ )RC‬يساوي ‪. ............‬‬

‫‪1.7 V ○ ‬‬

‫‪1.3 V ○ ‬‬

‫‪0.2 V‬‬ ‫‪0.3 V ○ ‬‬
‫‪7.5 V ○ ‬‬

‫‪Vin‬‬

‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬

‫الفيزياء ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‪3‬ــ‪8‬ــ‪3‬ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ الصف الثالث الثانوي‬